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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1257595555
Titel High thermal stability of doped oxide semiconductor for monolithic 3D integration / by Hiroki Kawai, Junji Kataoka, Nobuyoshi Saito, Tomomasa Ueda, Takamitsu Ishihara, Keiji Ikeda
Person(en) Kawai, Hiroki (Verfasser)
Kataoka, Junji (Verfasser)
Saito, Nobuyoshi (Verfasser)
Ueda, Tomomasa (Verfasser)
Ishihara, Takamitsu (Verfasser)
Ikeda, Keiji (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022051509064466223920
DOI: 10.1557/s43577-021-00230-0
URL https://doi.org/10.1557/s43577-021-00230-0
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Materials Research Society: MRS bulletin (Bd. 46, 11.1.2022, Nr. 11, date:11.2021: 1044-1052)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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