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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1186582332 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Ferroelektrische Speicherzelle mit Verarmungstransistor für hochdichte RAM / Georg Braun |
Person(en) | Braun, Georg (Verfasser) |
Ausgabe | 1. Auflage |
Verlag | Aachen : Shaker |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
Umfang/Format | Online-Ressource, 143 Seiten : 94 Illustrationen (pdf) |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Braun, Georg: Ferroelektrische Speicherzelle mit Verarmungstransistor für hochdichte RAM |
Hochschulschrift | Dissertation, Technische Universität Berlin, 2004 |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:101:1-2019051907410459955002 |
ISBN/Einband/Preis | 978-3-8322-4013-4 |
Sprache(n) | Deutsch (ger) |
Beziehungen | Selected Topics of Electronics and Micromechatronics /Ausgewählte Probleme der Elektronik und Mikromechatronik ; 16 |
Schlagwörter | FRAM <Informatik> ; Verarmungs-FET |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
