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Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/98493538X
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Untersuchung von Ausheilverfahren für Aluminium-implantierte Schichten in 4H-Siliciumcarbid / vorgelegt von Martin Rambach
Person(en) Rambach, Martin (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2007
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 3,0 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Rambach, Martin: Untersuchung von Ausheilverfahren für Aluminium-implantierte Schichten in 4H-Siliciumcarbid
Hochschulschrift Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2007
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-6532
URL http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2007/653/pdf/MartinRambachDissertation.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2007/653/index.html (Verlag)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Siliciumcarbid ; Ausheilung ; Dotierung ; Implantation ; Aluminium ; Halbleiteroberfläche
DDC-Notation 530.411 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

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