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Bücher
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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide und heisse Elektronen
Person(en) Schmitt-Landsiedel, Doris (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1984
Umfang/Format 179 S. : graph. Darst., Ill. ; 21 cm
Hochschulschrift München, Techn. Univ., Diss., 1984
Schlagwörter MOS-Transistor / Verkleinerung
Sachgruppe(n) 37 Elektrotechnik ; 0300 Mathematik, Physik, Astronomie ; 29 Physik, Astronomie
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: H 84/7540
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: Di 1985 A 1065
Bereitstellung in Leipzig




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