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Neuigkeiten Dienstag 18. November 2025: Die Lesesäle der Deutschen Nationalbibliothek in Frankfurt am Main öffnen wegen einer Personalversammlung erst ab 13 Uhr. // Tuesday 18 November 2025: The reading rooms of the German National Library in Frankfurt am Main will open at 13:00 due to a staff assembly.
 
 

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Titel Effect of fully strained AlN nucleation layer on the AlN/SiC interface and subsequent GaN growth on 4H–SiC by MOVPE / by Ruby Khan, Rajesh K. Bag, Kapil Narang, Akhilesh Pandey, Sandeep Dalal, Vikash K. Singh, Sachin K. Saini, M. V. G. Padmavati, Renu Tyagi, Ufana Riaz
Person(en) Khan, Ruby (Verfasser)
Bag, Rajesh K. (Verfasser)
Narang, Kapil (Verfasser)
Pandey, Akhilesh (Verfasser)
Dalal, Sandeep (Verfasser)
Singh, Vikash K. (Verfasser)
Saini, Sachin K. (Verfasser)
Padmavati, M. V. G. (Verfasser)
Tyagi, Renu (Verfasser)
Riaz, Ufana (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2020021221244099315954
DOI: 10.1007/s10854-019-02247-3
URL https://doi.org/10.1007/s10854-019-02247-3
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
DDC-Notation 537.6226 [DDC23ger]
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of materials science / Materials in electronics (Bd. 30, 28.9.2019, Nr. 20, date:10.2019: 18910-18918)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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