Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1386907901 |
| Titel | Charakterisierung von Defektstellen und deren Einfluss auf die Funktionalität von Feldeffekttransistoren mittels niedrigfrequenter Rauschmessungen / Yannick Raffel ; Gutachter: Johannes Heitmann, Thomas Kämpfe ; Betreuer: Johannes Heitmann |
| Person(en) |
Raffel, Yannick (Verfasser) Heitmann, Johannes (Akademischer Betreuer) Heitmann, Johannes (Gutachter) Kämpfe, Thomas (Gutachter) |
| Verlag | Freiberg : Technische Universität Bergakademie Freiberg |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2026 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Hochschulschrift | Dissertation, Freiberg, Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2025 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-1010294 |
| URL | (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Schlagwörter |
Halbleiter ; MOS-FET ; Dotierung ; Oxidschicht ; Grenzfläche ; Fluorierung ; Miniaturisierung ; Störstelle ; Zuverlässigkeit Feldeffekttransistor* (*maschinell ermittelt) |
| DDC-Notation | 621.381528 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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