Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/974522082 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Ladungsspeicherung in Oxid-Nitrid-Oxid-(ONO)-Strukturen für nichtflüchtige Speicherbauelemente / Jan-Malte Schley |
Person(en) | Schley, Jan-Malte (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 5,1 MB |
Hochschulschrift | München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005 |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:706-1148 |
URL |
http://ub.unibw-muenchen.de/dissertationen/ediss/schley-jan/inhalt.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://137.193.200.177/ediss/schley-jan/meta.html (Verlag) |
Schlagwörter | ROM <Informatik> ; Flash-Speicher ; MOS-FET ; Gate <Elektronik> ; Oxidnitride ; Nitride ; Mehrschichtsystem |
DDC-Notation | 530.4175 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
