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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC / vorgelegt von Sergey Reshanov
Person(en) Reshanov, Sergey (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 3,2 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Reshanov, Sergey: Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Hochschulschrift Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-2654
URL http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/pdf/SergeyReshanovDissertation.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/index.html (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio
DDC-Notation 530.411 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

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