Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Neuigkeiten Donnerstag, 11. September 2025: Die Deutsche Nationalbibliothek öffnet wegen eines Beschäftigtentreffens an beiden Standorten erst um 15 Uhr. // Thursday, 11 September 2025: The German National Library will not open until 15:00 due to a staff meeting at both locations.
 
Neuigkeiten Vom 10. September 2025, 13 Uhr, bis 11. September 2025, 22 Uhr, kann es zu Einschränkungen bei der Bereitstellung von Medienwerken kommen. Wir informieren Sie per E-Mail über den aktuellen Stand Ihrer Bestellungen. // From 13:00 on 10 September 2025 until 22:00 on 11 September 2025, there may be restrictions on the provision of media works. We will inform you by email about the current status of your orders.
 
 

Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*



Treffer 1664 von 1817 < < > <



Online Ressourcen
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/977229467
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC / vorgelegt von Sergey Reshanov
Person(en) Reshanov, Sergey (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 3,2 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Reshanov, Sergey: Device-relevant defect centers and minority carrier lifetime in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Hochschulschrift Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-2654
URL http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/pdf/SergeyReshanovDissertation.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2005/265/index.html (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Wide-gap-Halbleiter ; Siliciumcarbid ; DLTS ; Impedanzspektroskopie ; Lebensdauerspektroskopie ; Tiefe Störstelle ; Erbium ; Schwefel ; Photoionisatio
DDC-Notation 530.411 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

Online-Zugriff Archivobjekt öffnen




Treffer 1664 von 1817
< < > <


E-Mail-IconAdministration