Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1008186929 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Investigation of physical and chemical interactions during etching of silicon in dual frequency capacitively coupled HBr/NF3 gas discharges / Marco Reinicke |
Person(en) | Reinicke, Marco (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2009 |
Umfang/Format | Online-Ressource (PDF) |
Hochschulschrift | Dresden, Techn. Univ., Diss., 2009 |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-25338 |
URL | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-25338 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | Dynamisches RAM ; Silicium ; Wafer ; Plasmaätzen ; Gasentladung |
DDC-Notation | 621.38152 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
