Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*
Treffer 1962 von 2300
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/981800092 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interfacereactivity with praseodymium oxide dielectric layers / Rakesh Sohal |
| Person(en) | Sohal, Rakesh (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2006 |
| Umfang/Format | IX, 112 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Sohal, Rakesh: CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers |
| Hochschulschrift | Cottbus, Techn. Univ., Diss., 2006 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Siliciumcarbid ; Kristallfläche ; Dielektrische Schicht ; CVD-Verfahren |
| DDC-Notation | 530.4175 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Frankfurt |
Signatur: 2006 A 85430 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2006 A 103822 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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