Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/984709045 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | A simulation study on the performance improvement of CMOS devices using alternative gate electrode structures / von Rama Subrahmanyam Komaragiri |
| Person(en) | Komaragiri, Rama Subrahmanyam (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2007 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 2,1 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Komaragiri, Rama Subrahmanyam: A simulation study on the performance improvement of CMOS devices using alternative gate electrode structures |
| Hochschulschrift | Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2006 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-8257 |
| URL |
http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000825/thesis_rama_komaragiri.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000825 (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Halbleiter ; MOS ; CMOS ; Skalierung ; Gate <Elektronik> ; Gate-Oxid |
| DDC-Notation | 621.38152 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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