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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AlN-Zwischenschichten / von Jens Stemmer
Person(en) Stemmer, Jens (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2003
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 0,9 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Stemmer, Jens: Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AlN-Zwischenschichten
Hochschulschrift Hannover, Univ., Diss., 2003
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:gbv:089-36809782X9
URL http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/36809782X.pdf (kostenfrei zugänglich)
Schlagwörter Galliumnitrid ; Molekularstrahlepitaxie ; Aluminiumnitrid ; Zwischenschicht ; HEMT ; Online-Publikation
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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