Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Ben"
|
|
|
| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1229812199 |
| Titel | Ultra-Low energy Ion Implantation of Si into HfO2-based layers for Non Volatile Memory Applications / by P. E. Coulon, K. Chan Shin Yu, S. Schamm, G. Ben Assayag, B. Pecassou, A. Slaoui, S. Bhabani, M. Carrada, S. Lhostis, C. Bonafos |
| Person(en) |
Coulon, P. E. (Verfasser) Yu, K. Chan Shin (Verfasser) Schamm, S. (Verfasser) Assayag, G. Ben (Verfasser) Pecassou, B. (Verfasser) Slaoui, A. (Verfasser) Bhabani, S. (Verfasser) Carrada, M. (Verfasser) Lhostis, S. (Verfasser) Bonafos, C. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021032119255824487397 DOI: 10.1557/PROC-1160-H01-03 |
| URL | https://doi.org/10.1557/PROC-1160-H01-03 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2009 |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 1160, 1.07.2009, Nr. 1, date:12.2009: 1-8) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

