Protocol for depositing transparent conductive Ta-doped SnO2 film by hollow cathode gas flow sputtering technology

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Link zu diesem Datensatz	https://d-nb.info/1364120224
Titel	Protocol for depositing transparent conductive Ta-doped SnO2 film by hollow cathode gas flow sputtering technology / Fangfang Huo, Manuel Hartig, Bertwin Bilgrim Otto Seibertz, Nivin Alktash, Ruslan Muydninov, Can Wang, Peng Gao, Bernd Szyszka
Person(en)	Huo, Fangfang (Verfasser) Hartig, Manuel (Verfasser) Otto Seibertz, Bertwin Bilgrim (Verfasser) Alktash, Nivin (Verfasser) Muydninov, Ruslan (Verfasser) Wang, Can (Verfasser) Gao, Peng (Verfasser) Szyszka, Bernd (Verfasser)
Verlag	Berlin : Technische Universität Berlin
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 2025
Umfang/Format	Online-Ressource
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:101:1-2504300202095.080336983702 DOI: 10.14279/depositonce-23526 Handle: 11303/24710
URL	(kostenfrei zugänglich)
Sprache(n)	Englisch (eng)
Anmerkungen	In: STAR Protocols (5:4) - Amsterdam : Elsevier - Art.-Id. 103489
DDC-Notation	530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n)	530 Physik

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