Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1362897388 |
| Titel | Atomic Layer Deposition of Vanadium Oxide and Tantalum Oxide Thin Films for Resistive Switching Applications / Shuangzhou Wang |
| Person(en) | Wang, Shuangzhou (Verfasser) |
| Organisation(en) | Verlag Dr. Hut (München) (Verlag) |
| Verlag | München : Verlag Dr. Hut |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, 194 Seiten |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Atomic Layer Deposition of Vanadium Oxide and Tantalum Oxide Thin Films for Resistive Switching Applications |
| Hochschulschrift | Dissertation, Universität Köln, 2022 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:101:1-2504112332556.409609081867 |
| URL | http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-5593-5.html (Verlag) |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8439-5593-5 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Anorganische Chemie |
| Anmerkungen | Vom Verlag als Druckwerk on demand und/oder als E-Book angeboten |
| Schlagwörter | Dünne Schicht* ; Atomlagenabscheidung* ; Aluminiumoxide* ; Nanostrukturiertes Material* ; Oxidschicht* ; Metalloxide* (*maschinell ermittelt) |
| DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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