Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Trade-off"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1384734597 |
| Titel | Gaussian‐Sigmoid Reinforcement Transistors: Resolving Exploration‐Exploitation Trade‐Off Through Gate Voltage‐Controlled Activation Functions (Adv. Funct. Mater. 49/2025) |
| Person(en) |
Park, Jisoo (Verfasser) Seo, Juhyung (Verfasser) Koo, Ryun‐Han (Verfasser) Jayasuriya, Dinithi (Verfasser) Jayasinghe, Nethmi (Verfasser) Shin, Wonjun (Verfasser) Trivedi, Amit R. (Verfasser) Yoo, Hocheon (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2512181312409.822634790105 DOI: 10.1002/adfm.72718 |
| URL | https://doi.org/10.1002/adfm.72718 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 17.12.2025 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen |
Enthalten in: Advanced functional materials (Bd. 35, 2025, Nr. 49. 1 S.) Errata zu: DOI: 10.1002/adfm.202512407 |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

