Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/965706222 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Investigation of light induced defects in hydrogenated amorphous silicon by low temperature annealing and pulsed degradation / vorgelegt von Stephan Heck |
Person(en) | Heck, Stephan (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2002 |
Umfang/Format | 106 S. : graph. Darst. ; 30 cm |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Heck, Stephan: Investigation of light-induced defects in hydrogenated amorphous silicon by low temperature annealing and pulsed degradation |
Hochschulschrift | Marburg, Univ., Diss., 2002 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | Silicium ; Amorpher Halbleiter ; Wasserstoff ; Lichtinduzierter Defekt |
DDC-Notation | 530.416 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 29 Physik, Astronomie |
Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
Frankfurt |
Signatur: H 2002 B 8759 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: H 2002 B 8759 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
