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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1251681158
Titel Optimization of the spacer layer thickness in AlInAs/InGaAs/InP MODFETs / by Matthew L. Seaford, Glenn Martin, L. F. Eastman, Dave Hartzell, Scott Massie
Person(en) Seaford, Matthew L. (Verfasser)
Martin, Glenn (Verfasser)
Eastman, L. F. (Verfasser)
Hartzell, Dave (Verfasser)
Massie, Scott (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022021221535491875442
DOI: 10.1007/BF02655398
URL https://doi.org/10.1007/BF02655398
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1996
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 25, Nr. 9, date:9.1996: 1551-1553)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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