Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "H.G." and "Wells"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/125168954X |
| Titel | Characterization of undoped and silicon-doped InGaN/GaN single quantum wells / by B. Schineller, P. H. Lim, G. P. Yablonskii, E. V. Lutsenko, O. Schön, H. Protzmann, M. Heuken, K. Heime |
| Person(en) |
Schineller, B. (Verfasser) Lim, P. H. (Verfasser) Yablonskii, G. P. (Verfasser) Lutsenko, E. V. (Verfasser) Schön, O. (Verfasser) Protzmann, H. (Verfasser) Heuken, M. (Verfasser) Heime, K. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2022021300052135053704 DOI: 10.1007/s11664-000-0090-8 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-000-0090-8 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2000 |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 29, Nr. 1, date:1.2000: 31-36) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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