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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1358669007
Titel Profiles and defects in highly channeled and random beam orientation MeV dopant implants in Si(100) / by Michael I. Current, Yoji Kawasaki, Takuya Sakaguchi, Anita Pongrácz, Viktor Samu
Person(en) Current, Michael I. (Verfasser)
Kawasaki, Yoji (Verfasser)
Sakaguchi, Takuya (Verfasser)
Pongrácz, Anita (Verfasser)
Samu, Viktor (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2503050937020.589570826584
DOI: 10.1557/s43580-022-00481-2
URL https://doi.org/10.1557/s43580-022-00481-2
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2023
DDC-Notation 530.416 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: MRS advances (Bd. 7, 5.1.2023, Nr. 36, date:12.2022: 1454-1458)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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