Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/981350305 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Quantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices / Timm Höhr |
Person(en) | Höhr, Timm (Verfasser) |
Ausgabe | 1. ed. |
Verlag | Konstanz : Hartung-Gorre |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2006 |
Umfang/Format | XIII, 132 S. : graph. Darst. ; 21 cm |
Hochschulschrift | Zugl.: Zürich, Univ., Diss., 2006 |
ISBN/Einband/Preis |
978-3-86628-087-8 kart. : EUR 64.00 3-86628-087-4 kart. : EUR 64.00 |
EAN | 9783866280878 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Series in microelectronics ; Vol. 173 |
Schlagwörter | Halbleiterbauelement ; MOS ; Elektronischer Transport ; Quanteneffekt ; Drift-Diffusions-Modell ; Simulation |
DDC-Notation | 621.38152015376226 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Frankfurt |
Signatur: 2007 A 44811
Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2006 A 108961
Bereitstellung in Leipzig |
