Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/980006066 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Molecular beam deposition (MBD) and characterisation of high-k material as alternative gate oxides for MOS-technology / Vanessa Capodieci |
Person(en) | Capodieci, Vanessa (Verfasser) |
Verlag | Berlin : Mensch-und-Buch-Verl. |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
Umfang/Format | 116 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
Hochschulschrift | Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005 |
ISBN/Einband/Preis |
978-3-86664-067-2 kart. : EUR 29.00 3-86664-067-6 kart. : EUR 29.00 |
EAN | 9783866640672 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | High-k-Dielektrikum ; Gate-Oxid ; Aluminiumoxide ; Praseodymoxide ; Lanthanoxid ; Molekularstrahlepitaxie |
DDC-Notation | 621.38152 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Frankfurt |
Signatur: 2006 A 55175
Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2006 A 73560
Bereitstellung in Leipzig |
