Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1377730395 |
| Titel | Design and Simulation of III‐Nitride‐Based Polarization‐Matched Resonant‐Tunneling Diodes with Quaternary AlGaInN Quantum Wells and Ternary AlInN Double Barriers |
| Person(en) |
Imaizumi, Hikaru (Verfasser) Mase, Akira (Verfasser) Egawa, Takashi (Verfasser) Miyoshi, Makoto (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2509291408464.569485891583 DOI: 10.1002/pssr.202500199 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssr.202500199 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 28.09.2025 |
| DDC-Notation | 537.6223 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / Rapid research letters (28.09.2025. 7 S.) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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