Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1044748915 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Fabrication, characterization and simulation of band-to-band tunneling field-effect transistors based on silicon-germanium / Matthias Schmidt |
| Person(en) | Schmidt, Matthias (Verfasser) |
| Verlag | Aachen : Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2013 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Schmidt, Matthias: Fabrication, characterization and simulation of band-to-band tunneling field-effect transistors based on silicon germanium |
| Hochschulschrift | Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2013 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-47825 |
| URL | http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/volltexte/2013/4782 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | CMOS , T-FET , Halbleiterbauelement , Halbleiterphysik , Silicium |
| DDC-Notation | 537.6226 [DDC22ger]; 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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