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Ergebnis der Suche nach: "Karl" and "Müller"



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1293208094
Titel Electrothermal Performance of AlGaN/GaN Lateral Transistors with >10 μm Thick GaN Buffer on 200 mm Diameter‐Engineered Substrates
Person(en) Lundh, James Spencer (Verfasser)
Waltereit, Patrick (Verfasser)
Müller, Stefan (Verfasser)
Kirste, Lutz (Verfasser)
Czap, Heiko (Verfasser)
Tadjer, Marko J. (Verfasser)
Hobart, Karl D. (Verfasser)
Anderson, Travis J. (Verfasser)
Odnoblyudov, Vladimir (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023061915121069770029
DOI: 10.1002/pssa.202200843
URL https://doi.org/10.1002/pssa.202200843
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 19.06.2023
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (19.06.2023. 6 S.)

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