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Titel Process Optimization for Selective Area Doping of GaN by Ion Implantation / by Mona A. Ebrish, Travis J. Anderson, Alan G. Jacobs, James C. Gallagher, Jennifer K. Hite, Michael A. Mastro, Boris N. Feigelson, Yekan Wang, Michael Liao, Mark Goorsky, Karl D. Hobart
Person(en) Ebrish, Mona A. (Verfasser)
Anderson, Travis J. (Verfasser)
Jacobs, Alan G. (Verfasser)
Gallagher, James C. (Verfasser)
Hite, Jennifer K. (Verfasser)
Mastro, Michael A. (Verfasser)
Feigelson, Boris N. (Verfasser)
Wang, Yekan (Verfasser)
Liao, Michael (Verfasser)
Goorsky, Mark (Verfasser)
Hobart, Karl D. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2021101010043120655267
DOI: 10.1007/s11664-021-08984-8
URL https://doi.org/10.1007/s11664-021-08984-8
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 50, 28.5.2021, Nr. 8, date:8.2021: 4642-4649)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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