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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1207243124
Titel Transient numerical study of temperature gradients during sublimationgrowth of SiC / Jürgen Geiser, Olaf Klein, Peter Philip
Person(en) Geiser, Jürgen (Verfasser)
Klein, Olaf (Verfasser)
Philip, Peter (Verfasser)
Verlag Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2006
Umfang/Format Online-Ressource
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Geiser, Jürgen: Transient numerical study of temperature gradients during sublimation growth of SiC
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:kobv:11-10099109
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.08.046
URL http://edoc.hu-berlin.de/18452/10102 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen In: Journal of Crystal Growth, Band 297, Ausgabe 1, Seite 20-32, 2006
DDC-Notation 537.6226 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik ; 510 Mathematik

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