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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1027331769 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem / Stephan Rogowsky. Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF |
| Person(en) | Rogowsky, Stephan (Verfasser) |
| Verlag | Stuttgart : Fraunhofer-Verl. |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | III, 161 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2012 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8396-0413-7 kart : EUR 37.00 (DE) |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Beziehungen | Science for systems ; Bd. 5 |
| Schlagwörter | Drei-Fünf-Halbleiter ; Galliumverbindungen ; Halbleiterlaser ; Silicium ; Halbleitersubstrat ; Rippenwellenleiter ; Fotolithografie <Halbleitertechnologie> |
| DDC-Notation | 621.3661 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2013 A 38395
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2012 A 94176
Bereitstellung in Leipzig |
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