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Titel Defekt- und Spannungs-Engineering bei der Hochtemperaturgasphasenepitaxie (HTVPE) von GaN / Maik Förste ; Gutachter: Michael Stelter, Johannes Heitmann, Alexandros Charitos ; Betreuer: Michael Stelter
Person(en) Förste, Maik (Verfasser)
Stelter, Michael (Akademischer Betreuer)
Stelter, Michael (Gutachter)
Heitmann, Johannes (Gutachter)
Charitos, Alexandros (Gutachter)
Verlag Freiberg : Technische Universität Bergakademie Freiberg
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2025
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Freiberg, Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2025
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-970728
URL (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Galliumnitrid ; Gasphasenepitaxie ; Spannung ; Eigenspannung ; Defekt ; Versetzung <Kristallographie>
Galliumnitrid* ; MOCVD-Verfahren* ; Eigenspannung* ; Versetzung <Kristallographie>* ; Aluminiumnitrid* ; Schichtwachstum* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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