Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1210998343 |
Titel | 230 s room-temperature storage time and 1.14 eV hole localization energy in In0.5Ga0.5As quantum dots on a GaAs interlayer in GaP with an AlP barrier / Leo Bonato, Elisa M. Sala, Gernot Stracke, Tobias Nowozin, André Strittmatter, Mohammed Nasser Ajour, Khaled Daqrouq, Dieter Bimberg |
Person(en) |
Bonato, Leo (Verfasser) Sala, Elisa M. (Verfasser) Stracke, Gernot (Verfasser) Nowozin, Tobias (Verfasser) Strittmatter, André (Verfasser) Ajour, Mohammed Nasser (Verfasser) Daqrouq, Khaled (Verfasser) Bimberg, Dieter (Verfasser) |
Verlag | Berlin : Technische Universität Berlin |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2020 |
Umfang/Format | Online-Ressource |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2020052702052649136600 DOI: 10.14279/depositonce-10087 Handle: 11303/11199 |
URL | (kostenfrei zugänglich) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Anmerkungen | In: Applied Physics Letters (106:4) - Melville, NY : American Institute of Physics (AIP) - Art.-Id. 42102 |
DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
