Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1206590602 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Vertical Ge/SiGeSn-based p-channel nano field-effect transistors integrated on Si / Yasmine Elogail ; Betreuer: Jörg Schulze |
Person(en) |
Elogail, Yasmine (Verfasser) Schulze, Jörg (Akademischer Betreuer) |
Verlag | Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2020 |
Umfang/Format | Online-Ressource |
Hochschulschrift | Dissertation, Stuttgart, Universität Stuttgart, 2020 |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-108033 DOI: 10.18419/opus-10786 |
URL | (kostenfrei zugänglich) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
