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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1261891058
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Untersuchung zur Herstellungstechnologie und zum Hochfrequenzverhalten von GaN-basierten Feldeffekt Transistoren / Sandra Riedmüller
Person(en) Riedmüller, Sandra (Verfasser)
Verlag Ulm : Universität Ulm
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2022
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Hochschulschrift Dissertation, Ulm, Universität Ulm, 2022
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:289-oparu-43715-0
DOI: 10.18725/OPARU-43639
URL http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:289-oparu-43715-0 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Ohm-Kontakt ; Ternäre Legierung
Galliumnitrid* ; Aluminiumnitrid* ; Heterostruktur-Bauelement* ; Indiumnitrid* ; HEMT* ; Drei-Fünf-Halbleiter* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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