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Online Ressourcen
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1370106750
Titel Growth and Application of AlN Single Crystal / by Ke Xu, Jun Huang
Person(en) Xu, Ke (Verfasser)
Huang, Jun (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Ausgabe 1st ed. 2025
Verlag Singapore : Springer Nature Singapore, Imprint: Springer
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2025
Umfang/Format Online-Ressource, X, 177 p. 168 illus., 123 illus. in color. : online resource.
Andere Ausgabe(n) Printed edition:: ISBN: 978-981-9782-64-2
Printed edition:: ISBN: 978-981-9782-66-6
Printed edition:: ISBN: 978-981-9782-67-3
Inhalt Basic Properties of Ain Single Crystal -- Physical Basis for the Growth of Ain Single Crystal -- Defects in Ain Single Crystal -- Growth of Ain Bulk Crystal by Physical Vapor Transport -- Growth of Thick Ain Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy -- Growth of Thin Ain Layers by Metal Organic Chemical Vapor Deposition -- Aluminium Nitride based Semiconductor Devices
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2506290406385.299207323064
DOI: 10.1007/978-981-97-8265-9
URL https://doi.org/10.1007/978-981-97-8265-9
ISBN/Einband/Preis 978-981-97-8265-9
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Wide Bandgap Semiconductors
DDC-Notation 537.6223 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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