Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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	11	Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride Sommer, Frank, 2004
	12	Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111) Able, Andreas, 2004
	13	Defects, doping and compensation in wide bandgap semiconductors Alves, Helder, 2003
	14	Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten Kirste, Lutz, 2003
	15	Ab-initio-Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke Sökeland, Frank, 2002
	16	Ab-initio-Berechnungen zu elektronischen Eigenschaften und Untersuchungen zum Hochfeldtransport in Halbleitern mit großer Bandlücke Fitzer, Niels, 2002
	17	Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices: 4H/6H-SiC Lades, Martin. - Aachen : Shaker, 2002
	18	Nichtlineare Spektroskopie an Halbleitern mit großer Bandlücke Schweitzer, Christoph. - Aachen : Shaker, 2002
	19	Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) Scharnholz, Sigo. - Aachen : Shaker, 2001
	20	Interfacial issues in wide-bandgap II-VI materials and related multiple quantum well structures Pelucchi, Emanuele, 2001