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Dopant imaging and profiling of wide bandgap semiconductor devices Buzzo, Marco. - Konstanz : Hartung-Gorre, 2007, 1. ed.
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Optischer Einschluss, Lasing und Purcell-Effekt in Mikrosäulenkavitäten auf Basis breitlückiger Halbleiter Lohmeyer, Henning. - Berlin : Mensch-&-Buch-Verl., 2007
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Wide bandgap light emitting materials and devices Weinheim : Wiley-VCH-Verl., 2007
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Wide bandgap semiconductors Berlin : Springer, 2007
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Wide gap chalcopyrites Berlin : Springer, 2006
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Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride Sommer, Frank, 2004
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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111) Able, Andreas, 2004
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Defects, doping and compensation in wide bandgap semiconductors Alves, Helder, 2003
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Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten Kirste, Lutz, 2003
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Ab-initio-Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke Sökeland, Frank, 2002
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