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Untersuchungen zum Dotieren mit Molekülen an ZnO-Schichten gewachsen mittels MBE
Sorgenfrei, Tina. - Freiburg : Universität, 2011
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Optische und optoelektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Basis breitlückiger Halbleiter
Kalden, Joachim, 2010
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Wide Bandgap Light Emitting Materials And Devices
Weinheim : Wiley-VCH, 2008, 1., Auflage
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Optischer Einschluss, Lasing und Purcell-Effekt in Mikrosäulenkavitäten auf Basis breitlückiger Halbleiter
Lohmeyer, Henning. - [Bremen] : [Staats- und Univ.-Bibliothek], 2007, [Online-Ausg.]
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Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride
Sommer, Frank, 2005
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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
Able, Andreas, [2005]
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Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
Kirste, Lutz, [2004]
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Ab-initio Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke
Sökeland, Frank, 2002
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Modeling and Simulation of Wide Bandgap Semiconductor Devices: 4H/6H-SiC
Lades, Martin. - Aachen : Shaker, 2002
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Nichtlineare Spektroskopie an Halbleitern mit grosser Bandlücke
Schweitzer, Christoph. - Aachen : Shaker, 2002
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Administration
