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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
Able, Andreas, [2005]
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Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride
Sommer, Frank, 2004
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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
Able, Andreas, 2004
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24 |
Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
Kirste, Lutz, [2004]
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Defects, doping and compensation in wide bandgap semiconductors
Alves, Helder, 2003
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Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
Kirste, Lutz, 2003
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Ab-initio Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke
Sökeland, Frank, 2002
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Ab-initio-Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke
Sökeland, Frank, 2002
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Ab-initio-Berechnungen zu elektronischen Eigenschaften und Untersuchungen zum Hochfeldtransport in Halbleitern mit großer Bandlücke
Fitzer, Niels, 2002
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Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices: 4H/6H-SiC
Lades, Martin. - Aachen : Shaker, 2002
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Administration
