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Ergebnis der Suche nach: tit all "SiGe Heterojunction Bipolar Transistors"



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/125169697X
Titel Self-aligned Ti germanosilicide formation on a polycrystalline Si/SiGe/Si extrinsic base for SiGe heterojunction bipolar transistors / by Seung-Yun Lee, Chan Woo Park, Jin-Yoeng Kang
Person(en) Lee, Seung-Yun (Verfasser)
Park, Chan Woo (Verfasser)
Kang, Jin-Yoeng (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022021306090425947068
DOI: 10.1007/s11664-003-0035-0
URL https://doi.org/10.1007/s11664-003-0035-0
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2003
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 32, Nr. 11, date:11.2003: 1349-1356)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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