Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1292216379 |
| Titel | Polymer Field‐Effect Transistors Fabricated by the Sequential Gravure Printing of Polythiophene, Two Insulator Layers, and a Metal Ink Gate |
| Person(en) |
Voigt, Monika M. (Verfasser) Guite, Alexander (Verfasser) Chung, Dae‐Young (Verfasser) Khan, Rizwan U. A. (Verfasser) Campbell, Alasdair J. (Verfasser) Bradley, Donal D. C. (Verfasser) Meng, Fanshun (Verfasser) Steinke, Joachim H. G. (Verfasser) Tierney, Steve (Verfasser) McCulloch, Iain (Verfasser) Penxten, Huguette (Verfasser) Lutsen, Laurence (Verfasser) Douheret, Olivier (Verfasser) Manca, Jean (Verfasser) Brokmann, Ulrike (Verfasser) Sönnichsen, Karin (Verfasser) Hülsenberg, Dagmar (Verfasser) Bock, Wolfgang (Verfasser) Barron, Cecile (Verfasser) Blanckaert, Nicolas (Verfasser) Springer, Simon (Verfasser) Grupp, Joachim (Verfasser) Mosley, Alan (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023060704353137724713 DOI: 10.1002/adfm.200901597 |
| URL | https://doi.org/10.1002/adfm.200901597 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 16.12.2009 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Advanced functional materials (Bd. 20, 2010, Nr. 2: 239-246. 8 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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