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Titel Raman shifts in MBE‐grown SixGe1 − x − ySny alloys with large Si content / Jon Schlipf, Henriette Tetzner, Davide Spirito, Davide Spirito, Costanza Lucia Manganelli, Giovanni Capellini, Michael R. S. Huang, Christoph Koch, Caterina Clausen, Ahmed Elsayed, Michael Oehme, Stefano Chiussi, Jörg Schulze, Inga A. Fischer
Person(en) Schlipf, Jon (Verfasser)
Tetzner, Henriette (Verfasser)
Spirito, Davide (Verfasser)
Spirito, Davide (Verfasser)
Manganelli, Costanza Lucia (Verfasser)
Capellini, Giovanni (Verfasser)
Huang, Michael R. S. (Verfasser)
Koch, Christoph (Verfasser)
Clausen, Caterina (Verfasser)
Elsayed, Ahmed (Verfasser)
Oehme, Michael (Verfasser)
Chiussi, Stefano (Verfasser)
Schulze, Jörg (Verfasser)
Fischer, Inga A. (Verfasser)
Verlag Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
Umfang/Format Online-Ressource
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/24298-6
DOI: 10.18452/23632
URL http://edoc.hu-berlin.de/18452/24298 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen In: Journal of Raman spectroscopy, Band 52, Ausgabe 6, Seite 1167-1175, 2021
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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