Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=621*
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1074350103 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films / Ekaterina Yurchuk. Gutachter: Thomas Mikolajick ; Kathrin Dörr. Betreuer: Thomas Mikolajick |
| Person(en) |
Yurchuk, Ekaterina (Verfasser) Mikolajick, Thomas (Akademischer Betreuer) Dörr, Kathrin (Akademischer Betreuer) |
| Verlag | Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden - Dresden : Technische Universität Dresden |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2015 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als: ISBN: 978-3-8325-4003-6 |
| Hochschulschrift | Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2015 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172000 |
| URL | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172000 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| ISSN | ISSN der Vorlage: 2191-7167 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Research at NaMLab |
| Schlagwörter | Nichtflüchtiger Speicher ; Ferroelektrischer Transistor ; Hafniumdioxid ; Dünne Schicht ; Silicium ; CMOS ; Degradation <Technik> ; Dotierung ; Elektrische Eigenschaft ; High-k Metal-Gate-Technik |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger]; 621.39732 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

