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Ergebnis der Suche nach: "nachhaltigkeit*"



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1353586324
Titel Highly Efficient CMOS Compatible Ohmic Contacts for WBG Nitride Power Devices / Valentin Garbe ; Gutachter: Johannes Heitmann, Ulrich Theodor Schwarz ; Betreuer: Johannes Heitmann
Person(en) Garbe, Valentin (Verfasser)
Heitmann, Johannes (Akademischer Betreuer)
Heitmann, Johannes (Gutachter)
Schwarz, Ulrich Theodor (Gutachter)
Verlag Freiberg : Technische Universität Bergakademie Freiberg
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2025
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Freiberg, Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2024
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-949337
URL (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Nachhaltigkeit ; Energiewende ; Halbleiter ; CMOS ; Schichtwiderstand ; Kontaktwiderstand ; HEMT ; Intermetallische Verbindungen ; Titan ; Aluminium ; Vanadium ; Stickstoff ; Dünne Schicht ; Rauigkeit
Galliumnitrid* ; CMOS* ; HEMT* ; Siliciumcarbid* ; Leistungshalbleiter* ; Leistungselektronik* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 621.317 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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