Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1001502019 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Investigation of resistive switching in barium strontium titanate thin films for memory applications / Wan Shen. Forschungszentrum Jülich GmbH, Institute of Solid State Research (IFF), Electronic Materials (IFF-9). [Publ.: Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek] |
| Person(en) | Shen, Wan (Verfasser) |
| Verlag | Jülich : Forschungszentrum, Zentralbibliothek |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2010 |
| Umfang/Format | 114 S. : Ill., graph. Darst. ; 24 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-89336-608-8 kart. : EUR 29.00 |
| EAN | 9783893366088 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Forschungszentrum Jülich: Schriften des Forschungszentrums Jülich / Reihe Information ; Bd. 8 |
| DDC-Notation | 530.4175 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2010 A 32557
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2010 A 61277
Bereitstellung in Leipzig |
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