Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1362360627 |
| Titel | Atomic Layer Deposition of Vanadium Oxide and Tantalum Oxide Thin Films for Resistive Switching Applications / Shuangzhou Wang |
| Person(en) | Wang, Shuangzhou (Verfasser) |
| Organisation(en) | Verlag Dr. Hut (München) (Verlag) |
| Verlag | München : Dr. Hut |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungstermin: April 2025 |
| Umfang/Format | 194 Seiten ; 21 cm, 263 g |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Atomic Layer Deposition of Vanadium Oxide and Tantalum Oxide Thin Films for Resistive Switching Applications |
| Hochschulschrift | Dissertation, Universität Köln, 2022 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8439-5593-5 Paperback : EUR 42.00 (DE), EUR 43.20 (AT) 3-8439-5593-X |
| EAN | 9783843955935 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Anorganische Chemie |
| Sachgruppe(n) | 540 Chemie |
| Weiterführende Informationen | Inhaltstext |
| Frankfurt | Vom Verlag gemeldete Neuerscheinung, Publikation noch nicht im Haus |
| Leipzig | Vom Verlag gemeldete Neuerscheinung, Publikation noch nicht im Haus |
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