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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie / Alexandra Ludsteck
Person(en) Ludsteck, Alexandra (Verfasser)
Ausgabe 1. Auflage
Verlag Aachen : Shaker
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format Online-Ressource, 130 Seiten : 69 Illustrationen (pdf)
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Ludsteck, Alexandra: Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie
Hochschulschrift Dissertation, Universität der Bundeswehr München, 2005
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2019051906570251226241
ISBN/Einband/Preis 978-3-8322-4247-3
Sprache(n) Deutsch (ger)
Beziehungen Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter MOS-Schaltung ; Gate-Oxid ; Dielektrische Schicht ; Siliciumdioxid ; Siliciumoxinitride ; Rapid thermal processing
DDC-Notation 621.38152 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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