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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1234321742
Titel Design study of gate-all-around vertically stacked nanosheet FETs for sub-7nm nodes / by E. Mohapatra, T. P. Dash, J. Jena, S. Das, C. K. Maiti
Person(en) Mohapatra, E. (Verfasser)
Dash, T. P. (Verfasser)
Jena, J. (Verfasser)
Das, S. (Verfasser)
Maiti, C. K. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2021052908341879139291
DOI: 10.1007/s42452-021-04539-y
URL https://doi.org/10.1007/s42452-021-04539-y (Open Access)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
DDC-Notation 620.11 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: SN applied sciences (Bd. 3, 7.4.2021, Nr. 5, date:5.2021: 1-13)
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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