Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*
Treffer 1340 von 1812
|
|
| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/986034002 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Metal-semiconductor transition materials : FeS and VO2 thin films by RF reactive sputtering / von Ganhua Fu |
| Person(en) | Fu, Ganhua (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2007 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 4,9 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Fu, Ganhua: Metal-semiconductor transition materials |
| Hochschulschrift | Gießen, Univ., Diss., 2007 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-48015 |
| URL |
http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2007/4801/pdf/FuGanhua-2007-07-13.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2007/4801/index.html (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| DDC-Notation | 530.4175 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
Treffer 1340 von 1812
Administration
