Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1322293864 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Modeling and Verification of 4H-SiC Trench MOS Integration using Trench-First-Technology / Minwho Lim ; Gutachter: ,. Tobias Erlbacher; Robert Weigel ; Betreuer: ,. Tobias Erlbacher |
| Person(en) |
Lim, Minwho (Verfasser) Erlbacher, ,. Tobias (Akademischer Betreuer) Erlbacher, ,. Tobias (Gutachter) Weigel, Robert (Gutachter) |
| Verlag | Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2023 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Hochschulschrift | Dissertation, Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2023 |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2024030202332646698974 DOI: 10.25593/open-fau-64 |
| URL | (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Siliciumcarbid* ; Silicium* ; Ionenimplantation* ; MOS-FET* ; MOS* ; Halbleitertechnologie* (*maschinell ermittelt) |
| DDC-Notation | 621.381528 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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