Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1070300209 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices / Michael Schmalzbauer |
| Person(en) | Schmalzbauer, Michael (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. Aufl. |
| Verlag | Regensburg : Univ.-Verl. Regensburg |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2015 |
| Umfang/Format | VI, 156 S. : Ill., graph. Darst. ; 24 cm, 408 g |
| Hochschulschrift | Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 2015 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-86845-123-8 kart. : EUR 29.95 (DE), EUR 30.80 (AT), sfr 38.90 (freier Pr.) 3-86845-123-4 |
| EAN | 9783868451238 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Universität Regensburg. Naturwissenschaftliche Fakultät 2: Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg ; Bd. 45 |
| Schlagwörter | Silicium ; Germanium ; Heterostruktur ; Feldeffekt |
| DDC-Notation | 530.416 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2015 A 54427
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2015 A 58934
Bereitstellung in Leipzig |
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